Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
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Lebedev, S. P.
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Volume 50, Nº 7 (2016)
Carbon Systems
Electron-diffraction study of graphene-film growth stages during the thermal destruction of 6
H
-SiC (000
\(\bar 1\)
) in vacuum
Volume 51, Nº 8 (2017)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Effects of irradiation with 8-MeV protons on
n
-3
C
-SiC heteroepitaxial layers
Volume 51, Nº 8 (2017)
Carbon Systems
Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6
H
-SiC (0001)
Volume 52, Nº 11 (2018)
Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018
MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer
Volume 52, Nº 12 (2018)
Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates
Volume 52, Nº 12 (2018)
Carbon Systems
Transition between Electron Localization and Antilocalization and Manifestation of the Berry Phase in Graphene on a SiC Surface
Volume 52, Nº 14 (2018)
Graphene
High Quality Graphene Grown by Sublimation on 4
H
-SiC (0001)
Volume 53, Nº 14 (2019)
Nanostructures Characterization
Optical Estimation of the Carrier Concentration and the Value of Strain in Monolayer Graphene Grown on 4
H
-SiC
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