Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Menu
Arquivos
Página principal
Sobre a Revista
Equipe Editorial
Política Editorial
Diretrizes para Autores
Sobre a Revista
Edições
Pesquisa
Edição corrente
Arquivos
Contatos
Todas as revistas
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Notificações
Ver
Assinar
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Autores
por título
por Seção
Outras Revistas
Assinatura
Entrar no sistema para verificar sua assinatura
Palavras-chave
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Informações
Para leitores
Para Autores
Para Bibliotecários
×
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Notificações
Ver
Assinar
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Autores
por título
por Seção
Outras Revistas
Assinatura
Entrar no sistema para verificar sua assinatura
Palavras-chave
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Informações
Para leitores
Para Autores
Para Bibliotecários
Página principal
>
Pesquisa
>
Informaçao sobre o Autor
Informaçao sobre o Autor
Maleev, N. A.
Edição
Seção
Título
Arquivo
Volume 50, Nº 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture
Volume 51, Nº 11 (2017)
XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017
Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors
Volume 52, Nº 1 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Emission-Line Width and α-Factor of 850-nm Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaAs/AlGaAs Quantum Wells
Volume 52, Nº 1 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Investigation of the Modified Structure of a Quantum Cascade Laser
Volume 52, Nº 7 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
On the Fabrication and Study of Lattice-Matched Heterostructures for Quantum Cascade Lasers
Volume 53, Nº 8 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-μm Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
Este site utiliza cookies
Ao continuar usando nosso site, você concorda com o procedimento de cookies que mantêm o site funcionando normalmente.
Informação sobre cookies
TOP