Low-Frequency Dielectric Relaxation in Iron-Doped Ge 28.5 Pb 15 S 56.5  Glassy System

R. A. Castro; G. I. Grabko; A. A. Kononov

doi:10.1134/S1063782618090051

Low-Frequency Dielectric Relaxation in Iron-Doped Ge_28.5Pb₁₅S_56.5 Glassy System

Авторлар: Castro R.¹, Grabko G.², Kononov A.¹
Мекемелер:
1. Herzen State Pedagogical University of Russia
2. Transbaikal State University
Шығарылым: Том 52, № 9 (2018)
Беттер: 1160-1162
Бөлім: Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/204032
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090051
ID: 204032

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Статистика

Аннотация

The dielectric relaxation processes in Ge_28.5Pb₁₅S_56.5 glassy system are investigated. The introduction of an iron impurity into a glass matrix is shown to sharply increase the permittivity ε' and decrease the dissipation factor tanδ. The found regularities are explained within the cluster structure (two-phase) model of doped glass.

Негізгі сөздер

Glassy Systems, Dissipation Factor Tanδ, Doped Glasses, Iron Impurities, Dipole Polarization Relaxation

Авторлар туралы

R. Castro

Herzen State Pedagogical University of Russia

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: recastro@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 191186

G. Grabko

Transbaikal State University

Email: recastro@mail.ru
Ресей, Chita, 672039

A. Kononov