Low-Frequency Dielectric Relaxation in Iron-Doped Ge 28.5 Pb 15 S 56.5  Glassy System

R. A. Castro; G. I. Grabko; A. A. Kononov

doi:10.1134/S1063782618090051

Low-Frequency Dielectric Relaxation in Iron-Doped Ge_28.5Pb₁₅S_56.5 Glassy System

Авторы: Castro R.¹, Grabko G.², Kononov A.¹
Учреждения:
1. Herzen State Pedagogical University of Russia
2. Transbaikal State University
Выпуск: Том 52, № 9 (2018)
Страницы: 1160-1162
Раздел: Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/204032
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090051
ID: 204032

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Статистика

Аннотация

The dielectric relaxation processes in Ge_28.5Pb₁₅S_56.5 glassy system are investigated. The introduction of an iron impurity into a glass matrix is shown to sharply increase the permittivity ε' and decrease the dissipation factor tanδ. The found regularities are explained within the cluster structure (two-phase) model of doped glass.

Ключевые слова

Glassy Systems, Dissipation Factor Tanδ, Doped Glasses, Iron Impurities, Dipole Polarization Relaxation

Об авторах

R. Castro

Herzen State Pedagogical University of Russia

Автор, ответственный за переписку.
Email: recastro@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 191186

G. Grabko

Transbaikal State University

Email: recastro@mail.ru
Россия, Chita, 672039

A. Kononov