Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Menu
Arquivos
Página principal
Sobre a Revista
Equipe Editorial
Política Editorial
Diretrizes para Autores
Sobre a Revista
Edições
Pesquisa
Edição corrente
Artigos retraídos
Arquivos
Contatos
Todas as revistas
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Notificações
Ver
Assinar
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Por autor
por título
por Seção
Outras Revistas
Assinatura
Entrar no sistema para verificar sua assinatura
Palavras-chave
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
×
Usuário
Nome de usuário
Senha
Lembrar usuário
Esqueceu a senha?
Cadastro
Notificações
Ver
Assinar
Conteúdo da revista
Pesquisa
Escopo da Busca
Todos
Autores
Título
Resumo
Termos
Texto integral
Navegar
Edições
Por autor
por título
por Seção
Outras Revistas
Assinatura
Entrar no sistema para verificar sua assinatura
Palavras-chave
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Página principal
>
Pesquisa
>
Informaçao sobre o Autor
Informaçao sobre o Autor
Timoshina, N. Kh.
Edição
Seção
Título
Arquivo
Volume 50, Nº 7 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model
Volume 50, Nº 9 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
Volume 50, Nº 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics
Volume 51, Nº 1 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD
Volume 51, Nº 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs
Volume 51, Nº 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Formation of a
p
-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters
Volume 52, Nº 3 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
Volume 52, Nº 13 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm)
TOP