Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
⽬录
过刊浏览
首页
关于期刊
编辑部
编辑政策
作者指南
关于期刊
刊期
检索
最新一期
##navigation.retracted##
过刊浏览
联系方式
所有期刊
參考資料
平台使用说明
RAS期刊协议签署说明
用户
用户名
密码
记住我
忘记您的密码?
注册
通知
预览
订阅
期刊内容
检索
搜索范围
全部
作者
标题
摘要
索引项目
全文
浏览
通过刊期
按作者
根据标题
部分
其他杂志
订阅
登录验证订阅
关键字
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
×
用户
用户名
密码
记住我
忘记您的密码?
注册
通知
预览
订阅
期刊内容
检索
搜索范围
全部
作者
标题
摘要
索引项目
全文
浏览
通过刊期
按作者
根据标题
部分
其他杂志
订阅
登录验证订阅
关键字
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
首页
>
检索
>
作者的详细信息
作者的详细信息
Timoshina, N. Kh.
期
栏目
标题
文件
卷 50, 编号 7 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model
卷 50, 编号 9 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
卷 50, 编号 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics
卷 51, 编号 1 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD
卷 51, 编号 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs
卷 51, 编号 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Formation of a
p
-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters
卷 52, 编号 3 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
卷 52, 编号 13 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm)
TOP