Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Выпуск Название Файл
Том 52, № 9 (2018) Electric-Field Behavior of the Resonance Features of the Tunneling Photocurrent Component in InAs(QD)/GaAs Heterostructures PDF
(Eng)
Orlov M., Volkova N., Ivina N., Orlov L.
Том 52, № 9 (2018) Size-Dependent Optical Properties of Colloidal CdS Quantum Dots Passivated by Thioglycolic Acid PDF
(Eng)
Kondratenko T., Smirnov M., Ovchinnikov O., Shabunya-Klyachkovskaya E., Matsukovich A., Zvyagin A., Vinokur Y.
Том 52, № 9 (2018) Quantization of the Electromagnetic Field in Three-Dimensional Photonic Structures on the Basis of the Scattering Matrix Formalism (S Quantization) PDF
(Eng)
Ivanov K., Gubaydullin A., Kaliteevski M.
Том 52, № 9 (2018) Study of the Structural and Emission Properties of Ge(Si) Quantum Dots Ordered on the Si(001) Surface PDF
(Eng)
Smagina Z., Zinovyev V., Krivyakin G., Rodyakina E., Kuchinskaya P., Fomin B., Yablonskiy A., Stepikhova M., Novikov A., Dvurechenskii A.
Том 52, № 9 (2018) On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures PDF
(Eng)
Kolodeznyi E., Kurochkin A., Rochas S., Babichev A., Novikov I., Gladyshev A., Karachinsky L., Savelyev A., Egorov A., Denisov D.
Том 52, № 8 (2018) Nonlinear Optical Properties of CdS/ZnS Quantum Dots in a High-Molecular-Weight Polyvinylpyrrolidone Matrix PDF
(Eng)
Kulagina A., Evstropiev S., Rosanov N., Vlasov V.
Том 52, № 8 (2018) Specific Features of the Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions PDF
(Eng)
Yakovlev G., Dorokhin M., Zubkov V., Dudin A., Zdoroveyshchev A., Malysheva E., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A.
Том 52, № 8 (2018) Effect of Misorientation and Preliminary Etching of the Substrate on the Structural and Optical Properties of Integrated GaAs/Si(100) Heterostructures Produced by Vapor Phase Epitaxy PDF
(Eng)
Seredin P., Goloshchapov D., Zolotukhin D., Lenshin A., Lukin A., Khudyakov Y., Arsentyev I., Zhabotinsky A., Nikolaev D., Pikhtin N.
Том 52, № 8 (2018) Photoluminescence of ZnS:Cu in a Polymethyl Methacrylate Matrix PDF
(Eng)
Smagin V., Eremina N., Leonov M.
Том 52, № 8 (2018) Influence of Isotropic Pressure on the Current–Voltage Characteristics of Surface-Barrier Diodes Sb–p-Si〈Mn〉–Au PDF
(Eng)
Zainabidinov S., Tursunov I., Khimmatkulov O.
Том 52, № 8 (2018) Simulating Tunneling Electron Transport in the Semiconductor–Crystalline Insulator–Si(111) System PDF
(Eng)
Vexler M.
Том 52, № 8 (2018) Photoconductivity Amplification in a Type-II n-GaSb/InAs/p-GaSb Heterostructure with a Single QW PDF
(Eng)
Mikhailova M., Andreev I., Konovalov G., Danilov L., Ivanov E., Kunitsyna E., Il’inskaya N., Levin R., Pushnyi B., Yakovlev Y.
Том 52, № 7 (2018) In0.8Ga0.2As Quantum Dots for GaAs Solar Cells: Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Growth Peculiarities and Properties PDF
(Eng)
Salii R., Kosarev I., Mintairov S., Nadtochiy A., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
Том 52, № 7 (2018) Experimental Study of Spontaneous Emission in Bragg Multiple- Quantum-Well Structures with InAs Single-Layer Quantum Wells PDF
(Eng)
Kaliteevski M., Nikitina E., Gubaidullin A., Ivanov K., Egorov A., Pozina G.
Том 52, № 7 (2018) Transverse Nernst–Ettingshausen Effect in Superlattices Upon Electron-Phonon Scattering PDF
(Eng)
Figarova S., Huseynov H., Figarov V.
Том 52, № 7 (2018) Electrical Properties of p-NiO/n-Si Heterostructures Based on Nanostructured Silicon PDF
(Eng)
Parkhomenko H., Solovan M., Maryanchuk P.
Том 52, № 7 (2018) Ultrafast Dynamics of Photoexcited Charge Carriers in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As Superlattices under Femtosecond Laser Excitation PDF
(Eng)
Ponomarev D., Khabibullin R., Klochkov A., Yachmenev A., Bugaev A., Khusyainov D., Buriakov A., Bilyk V., Mishina E.
Том 52, № 6 (2018) Study of the Structural and Luminescence Properties of InAs/GaAs Heterostructures with Bi-Doped Potential Barriers PDF
(Eng)
Pashchenko A., Lunin L., Chebotarev S., Lunina M.
Том 52, № 6 (2018) X-Ray Diffraction Analysis of Features of the Crystal Structure of GaN/Al0.32Ga0.68N HEMT-Heterostructures by the Williamson–Hall Method PDF
(Eng)
Pushkarev S., Grekhov M., Zenchenko N.
Том 52, № 6 (2018) Quantum Oscillations of Photoconductivity Relaxation in p–i–n GaAs/InAs/AlAs Heterodiodes PDF
(Eng)
Khanin Y., Vdovin E.
Том 52, № 6 (2018) Heterostructures of Single-Wavelength and Dual-Wavelength Quantum-Cascade Lasers PDF
(Eng)
Babichev A., Kurochkin A., Kolodeznyi E., Filimonov A., Usikova A., Nevedomsky V., Gladyshev A., Karachinsky L., Novikov I., Egorov A.
Том 52, № 6 (2018) Study of the Properties of II–VI and III–V Semiconductor Quantum Dots PDF
(Eng)
Mikhailov A., Kabanov V., Gorbachev I., Glukhovsky E.
Том 52, № 2 (2018) Electron Transport in PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Quantum Wells at Different Temperatures: Influence of One-Side δ-Si Doping PDF
(Eng)
Safonov D., Vinichenko A., Kargin N., Vasil’evskii I.
Том 52, № 2 (2018) Intraband Radiation Absorption by Holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP Quantum Wells PDF
(Eng)
Pavlov N., Zegrya G., Zegrya A., Bugrov V.
Том 52, № 1 (2018) Mobility of the Two-Dimensional Electron Gas in DA-pHEMT Heterostructures with Various δ–n-Layer Profile Widths PDF
(Eng)
Protasov D., Bakarov A., Toropov A., Ber B., Kazantsev D., Zhuravlev K.
51 - 75 из 162 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».