Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 64, № 3 (2019)
Effect of the Spread of the Depths of p–n Junction on the Parameters of InGaAs/InP Avalanche Photodiodes
Budtolaev A., Khakuashev P., Chinareva I.
PDF
(Eng)
Том 62, № 3 (2017)
Epitaxial structures for InGaAs/InP avalanche photodiodes
Budtolaev A., Khakuashev P., Chinareva I., Gorlachuk P., Ladugin M., Marmaluk A., Ryaboshtan Y., Yarotskaya I.
PDF
(Eng)
Том 64, № 3 (2019)
Study of Photodiodes Based on the InGaAs Structure with a Boundary Wavelength of 2.06 μm
Boltar K., Irodov N., Sednev M., Marmalyuk A., Ladugin M., Ryaboshtan Y.
PDF
(Eng)
Том 61, № 10 (2016)
Investigation of planar photodiodes of a focal plane array based on a heteroepitaxial InGaAs/InP structure
Andreev D., Boltar K., Vlasov P., Irodov N., Lopuhin A.
PDF
(Eng)
Том 63, № 9 (2018)
Current–Voltage Characteristics of n-B-p Structures with Absorbing In0.53Ga0.47As Layer
Sednev M., Boltar K., Irodov N., Demidov S.
PDF
(Eng)
Том 61, № 3 (2016)
320 × 256 avalanche array photodetector on the basis of ternary alloys of the A3B5 group with an InGaAs absorbing layer and an InAlAs barrier layer
Iakovleva N., Boltar K., Sedneva M., Lopukhin A., Korotaev E.
PDF
(Eng)
Том 63, № 3 (2018)
Methods for Calculation and Control of the Impurity Difference Dose in Avalanche InGaAs/InP Structures
Budtolaev A., Kravchenko N., Khakuashev P., Chinareva I.
PDF
(Eng)
Том 61, № 3 (2016)
Short-wavelength infrared array avalanche photodetectors on the basis of InGaAs heteroepitaxial structures
Iakovleva N., Boltar K., Sednev M., Patrashin A., Irodov N.
PDF
(Eng)
Том 63, № 3 (2018)
Influence of Indirect Transitions on Optical Characteristics of A3B5 Heteroepitaxial Layers
Nikonov A., Iakovleva N.
PDF
(Eng)
Том 62, № 9 (2017)
Formation of guard ring of avalanche photodiode based on the InGaAs/InP heterostructure
Budtolaev A., Grishina T., Khakuashev P., Chinareva I.
PDF
(Eng)
Том 64, № 9 (2019)
Photodetector of Shortwave Infrared Range of Format 640 × 512 Elements with Increased Dynamic Range
Kuznetsov P., Moschev I.
PDF
(Eng)
Том 62, № 9 (2017)
Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging
Iakovleva N., Boltar K., Sednev M., Nikonov A.
PDF
(Eng)
Том 64, № 3 (2019)
Short-Wave Infrared Camera with a Focal Plane Array Based on InGaAs/InP Heterostructures
Khamidullin K., Baliev D., Lazarev P., Boltar K., Polesskiy A., Burlakov I., Chepurnov E., Gusarova N., Popov S.
PDF
(Eng)
Том 62, № 3 (2017)
Investigation of spectral dependences of the absorption coefficient in InGaAs layers
Iakovleva N., Nikonov A.
PDF
(Eng)
1 - 14 из 14 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах