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Volume 64, Nº 3 (2019)
Effect of the Spread of the Depths of p–n Junction on the Parameters of InGaAs/InP Avalanche Photodiodes
Budtolaev A., Khakuashev P., Chinareva I.
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(Eng)
Volume 62, Nº 3 (2017)
Epitaxial structures for InGaAs/InP avalanche photodiodes
Budtolaev A., Khakuashev P., Chinareva I., Gorlachuk P., Ladugin M., Marmaluk A., Ryaboshtan Y., Yarotskaya I.
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(Eng)
Volume 64, Nº 3 (2019)
Study of Photodiodes Based on the InGaAs Structure with a Boundary Wavelength of 2.06 μm
Boltar K., Irodov N., Sednev M., Marmalyuk A., Ladugin M., Ryaboshtan Y.
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(Eng)
Volume 61, Nº 10 (2016)
Investigation of planar photodiodes of a focal plane array based on a heteroepitaxial InGaAs/InP structure
Andreev D., Boltar K., Vlasov P., Irodov N., Lopuhin A.
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(Eng)
Volume 63, Nº 9 (2018)
Current–Voltage Characteristics of n-B-p Structures with Absorbing In0.53Ga0.47As Layer
Sednev M., Boltar K., Irodov N., Demidov S.
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(Eng)
Volume 61, Nº 3 (2016)
320 × 256 avalanche array photodetector on the basis of ternary alloys of the A3B5 group with an InGaAs absorbing layer and an InAlAs barrier layer
Iakovleva N., Boltar K., Sedneva M., Lopukhin A., Korotaev E.
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(Eng)
Volume 63, Nº 3 (2018)
Methods for Calculation and Control of the Impurity Difference Dose in Avalanche InGaAs/InP Structures
Budtolaev A., Kravchenko N., Khakuashev P., Chinareva I.
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(Eng)
Volume 61, Nº 3 (2016)
Short-wavelength infrared array avalanche photodetectors on the basis of InGaAs heteroepitaxial structures
Iakovleva N., Boltar K., Sednev M., Patrashin A., Irodov N.
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(Eng)
Volume 63, Nº 3 (2018)
Influence of Indirect Transitions on Optical Characteristics of A3B5 Heteroepitaxial Layers
Nikonov A., Iakovleva N.
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(Eng)
Volume 62, Nº 9 (2017)
Formation of guard ring of avalanche photodiode based on the InGaAs/InP heterostructure
Budtolaev A., Grishina T., Khakuashev P., Chinareva I.
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(Eng)
Volume 64, Nº 9 (2019)
Photodetector of Shortwave Infrared Range of Format 640 × 512 Elements with Increased Dynamic Range
Kuznetsov P., Moschev I.
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(Eng)
Volume 62, Nº 9 (2017)
Analysis of characteristics of photodetectors based on InGaAs heteroepitaxial structures for 3D imaging
Iakovleva N., Boltar K., Sednev M., Nikonov A.
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(Eng)
Volume 64, Nº 3 (2019)
Short-Wave Infrared Camera with a Focal Plane Array Based on InGaAs/InP Heterostructures
Khamidullin K., Baliev D., Lazarev P., Boltar K., Polesskiy A., Burlakov I., Chepurnov E., Gusarova N., Popov S.
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(Eng)
Volume 62, Nº 3 (2017)
Investigation of spectral dependences of the absorption coefficient in InGaAs layers
Iakovleva N., Nikonov A.
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(Eng)
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