Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Yakimov, E.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 52, № 2 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Electrical Activity of Extended Defects in Multicrystalline Silicon
Том 53, № 1 (2019)
Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
Dependence of the Bulk Electrical Properties of Multisilicon on the Grain Misorientation Parameters
Том 53, № 1 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Simulation of the Parameters of a Titanium-Tritide-Based Beta-Voltaic Cell
Том 53, № 2 (2019)
Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
Thermoresistive Semiconductor SiC/Si Composite Material
Том 53, № 4 (2019)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Effect of Nickel and Copper Introduced at Room Temperature on the Recombination Properties of Extended Defects in Silicon
Том 53, № 8 (2019)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Dependence of the Spontaneous Luminescence Intensity in ZnO Nanorods on their Length
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP