Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Zolotukhin, D. S.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 52, № 8 (2018)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Effect of Misorientation and Preliminary Etching of the Substrate on the Structural and Optical Properties of Integrated GaAs/Si(100) Heterostructures Produced by Vapor Phase Epitaxy
Том 52, № 13 (2018)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Effect of a
por
-Si Buffer Layer on the Structure and Morphology of Epitaxial In
x
Ga
1 –
x
N/Si(111) Heterostructures
Том 53, № 1 (2019)
Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
Influence of a
por
-Si Buffer Layer on the Optical Properties of Epitaxial In
x
Ga
1 –
x
N/Si(111) Heterostructures with a Nanocolumnar Film Morphology
Том 53, № 7 (2019)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Investigation into the Influence of a Buffer Layer of Nanoporous Silicon on the Atomic and Electronic Structure and Optical Properties of A
III
N/por-Si Heterostructures Grown by Plasma-Activated Molecular-Beam Epitaxy
Том 53, № 8 (2019)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP