Отправить статью по E-mail Selective Epitaxy of Submicron GaN Structures
- Авторы: Lundin W.1, Tsatsulnikov A.2, Rodin S.1, Sakharov A.1, Mitrofanov M.1, Levitskii I.1,2, Voznyuk G.1,3, Evtikhiev V.1
-
Учреждения:
- Ioffe Institute
- Research and Engineering Center on Submicron Heterostructures for Microelectronics, Russian Academy of Sciences
- ITMO University
- Выпуск: Том 53, № 16 (2019)
- Страницы: 2118-2120
- Раздел: Nanostructures Technology
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/207610
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619120157
- ID: 207610
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
The effect of the growth temperature and the flow of trimethylgallium on the process of selective epitaxy of gallium nitride in windows of submicron size have been studied. The conditions under which homogeneous nucleation and coalescence of nuclei are combined with a low growth rate are determined. The steady growth of variously oriented gallium nitride strips with a height of 50 nm and a width of 600 nm was realized.
Ключевые слова
Об авторах
W. Lundin
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
A. Tsatsulnikov
Research and Engineering Center on Submicron Heterostructures for Microelectronics,Russian Academy of Sciences
Автор, ответственный за переписку.
Email: andrew@beam.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
S. Rodin
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: s_rodin77@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
A. Sakharov
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: val@beam.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
M. Mitrofanov
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021
I. Levitskii
Ioffe Institute; Research and Engineering Center on Submicron Heterostructures for Microelectronics,Russian Academy of Sciences
Автор, ответственный за переписку.
Email: levitskyar@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194021
G. Voznyuk
Ioffe Institute; ITMO University
Автор, ответственный за переписку.
Email: glebufa0@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 197101
V. Evtikhiev
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: Evtikhiev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
