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Volume 50, Nº 3 (2016)

Effect of the Ti-Nanolayer Thickness on the Self-Lift-off of Thick GaN Epitaxial Layers

Yugov A., Malahov S., Donskov A., Duhnovskii M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.

(Eng)

Volume 50, Nº 2 (2016)

Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation

Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Y., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V.

(Eng)

Volume 50, Nº 2 (2016)

Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures

Aleksandrov I., Zhuravlev K., Mansurov V.

(Eng)

Volume 53, Nº 9 (2019)

Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al₂O₃ Substrate

Sushkov A., Pavlov D., Shengurov V., Denisov S., Chalkov V., Baidus N., Rykov A., Kryukov R.

(Eng)

Volume 52, Nº 11 (2018)

Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (11\(\bar {2}\)0) Sapphire

Yunin P., Drozdov Y., Khrykin O., Grigoryev V.

(Eng)

Volume 50, Nº 4 (2016)

Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy

Averichkin P., Donskov A., Dukhnovsky M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.

(Eng)

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