Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Khvostikov, V.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 50, № 1 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm
Том 50, № 1 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters
Том 50, № 9 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
Том 50, № 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics
Том 51, № 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs
Том 52, № 3 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
Том 52, № 13 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm)
Том 52, № 13 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters of Tritium Radioluminescent-Lamp Radiation
Том 53, № 8 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Module of Laser-Radiation (λ = 1064 nm) Photovoltaic Converters
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP