Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Lebedev, S.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 50, № 7 (2016)
Carbon Systems
Electron-diffraction study of graphene-film growth stages during the thermal destruction of 6
H
-SiC (000
\(\bar 1\)
) in vacuum
Том 51, № 8 (2017)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Effects of irradiation with 8-MeV protons on
n
-3
C
-SiC heteroepitaxial layers
Том 51, № 8 (2017)
Carbon Systems
Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6
H
-SiC (0001)
Том 52, № 11 (2018)
Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018
MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer
Том 52, № 12 (2018)
Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates
Том 52, № 12 (2018)
Carbon Systems
Transition between Electron Localization and Antilocalization and Manifestation of the Berry Phase in Graphene on a SiC Surface
Том 52, № 14 (2018)
Graphene
High Quality Graphene Grown by Sublimation on 4
H
-SiC (0001)
Том 53, № 14 (2019)
Nanostructures Characterization
Optical Estimation of the Carrier Concentration and the Value of Strain in Monolayer Graphene Grown on 4
H
-SiC
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP