Relaxation oscillations of superluminescence in a semiconductor caused by recovery of the Fermi distribution of nonequilibrium electrons


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Resumo

It is shown that modulation of the superluminescence intensity on a characteristic time scale on the order of a few picoseconds may occur in a semiconductor because of relaxation oscillations that result from the “healing” of local perturbations of the quasi-Fermi distribution of nonequilibrium electrons in energy space. The conditions for observing this effect in GaAs are estimated.

Sobre autores

S. Kumekov

Kazakh National Technical University

Autor responsável pela correspondência
Email: skumekov@mail.ru
Cazaquistão, Almaty, 050013

A. Mustafin

Kazakh National Technical University

Email: skumekov@mail.ru
Cazaquistão, Almaty, 050013

S. Mussatay

Kazakh National Technical University

Email: skumekov@mail.ru
Cazaquistão, Almaty, 050013

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