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Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print) ISSN 1090-6479 (Online)
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Informaçao sobre o Autor

Cherkashin, N.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 50, Nº 2 (2016) Physics of Semiconductor Devices Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation
Volume 50, Nº 9 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs
Volume 53, Nº 12 (2019) Physics of Semiconductor Devices InGaAlP/GaAs Injection Lasers of the Orange Optical Range (~600 nm)
 

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