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Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print) ISSN 1090-6479 (Online)
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Informaçao sobre o Autor

Bondarev, A. D.

Edição Seção Título Arquivo
Volume 50, Nº 9 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates
Volume 52, Nº 2 (2018) Surfaces, Interfaces, and Thin Films Oxygen Nitrogen Mixture Effect on Aluminum Nitride Synthesis by Reactive Ion Plasma Deposition
Volume 53, Nº 4 (2019) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Defect Formation under Nitrogen-Ion Implantation and Subsequent Annealing in GaAs Structures with an Uncovered Surface and a Surface Covered with an AlN Film
Volume 53, Nº 11 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures On the Phase Composition, Morphology, and Optical and Electronic Characteristics of AlN Nanofilms Grown on Misoriented GaAs(100) Substrates
 

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