Optical Properties of Short-Period InAs/GaSb Superlattices Grown by MOCVD

L. V. Danilov; R. V. Levin; V. N. Nevedomskyi; B. V. Pushnyi

doi:10.1134/S1063782619120091

Optical Properties of Short-Period InAs/GaSb Superlattices Grown by MOCVD

Авторлар: Danilov L.V.¹, Levin R.V.¹, Nevedomskyi V.N.¹, Pushnyi B.V.¹
Мекемелер:
1. Ioffe Institute
Шығарылым: Том 53, № 16 (2019)
Беттер: 2078-2081
Бөлім: Nanostructures Technology
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/207590
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619120091
ID: 207590

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

This paper reports the structural and photoluminescent study results of heterostructure with short-period InAs/GaSb superlattice grown by MOCVD with 8/10 ML period thickness. The photoluminescence spectra was observed in the range of 3–5 μm with intensity peak at 3.8 μm. SL minibands theoretical calculation with a high accuracy confirmed the experimental data obtained. This indicates that the specified structural parameters match the chosen growth conditions.