On the Properties of Isoparametric AlInGaAsP/InP Heterostructures

D. L. Alfimova; L. S. Lunin; M. L. Lunina; A. S. Pashchenko; E. M. Danilina

doi:10.1134/S1063782619070029

On the Properties of Isoparametric AlInGaAsP/InP Heterostructures

Авторлар: Alfimova D.L.¹, Lunin L.S.¹, Lunina M.L.¹, Pashchenko A.S.¹, Danilina E.M.¹
Мекемелер:
1. Federal Research Center, Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences
Шығарылым: Том 53, № 7 (2019)
Беттер: 887-891
Бөлім: Surfaces, Interfaces, and Thin Films
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/206457
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070029
ID: 206457

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The effect of growth conditions on the structural perfection of AlInGaAsP/InP thin-film heterostructures is discussed. The key parameters determining the structural perfection and surface quality of thin AlInGaAsP epitaxial films grown on indium-phosphide substrates from the liquid phase in a temperature-gradient field are determined.