On the Properties of Isoparametric AlInGaAsP/InP Heterostructures

D. L. Alfimova; L. S. Lunin; M. L. Lunina; A. S. Pashchenko; E. M. Danilina

doi:10.1134/S1063782619070029

On the Properties of Isoparametric AlInGaAsP/InP Heterostructures

Авторы: Alfimova D.L.¹, Lunin L.S.¹, Lunina M.L.¹, Pashchenko A.S.¹, Danilina E.M.¹
Учреждения:
1. Federal Research Center, Southern Scientific Center, Russian Academy of Sciences
Выпуск: Том 53, № 7 (2019)
Страницы: 887-891
Раздел: Surfaces, Interfaces, and Thin Films
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/206457
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070029
ID: 206457

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The effect of growth conditions on the structural perfection of AlInGaAsP/InP thin-film heterostructures is discussed. The key parameters determining the structural perfection and surface quality of thin AlInGaAsP epitaxial films grown on indium-phosphide substrates from the liquid phase in a temperature-gradient field are determined.