Russian Microelectronics
ISSN 1063-7397 (Print)
ISSN 1608-3415 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
ADC
DAC
GaAs
MIS varicap
RUSSIAN Microelectronics
atomic force microscopy
compaction in a magnetic field
ferroelectrics
gallium arsenide
gallium nitride
heterostructure
heterostructures
interface
leakage current
magnetic texture
phase shifter
porous silicon
recrystallization
silicon carbide
varicap
zirconia
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Pivovarenok, S.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 45, № 5 (2016)
Article
Kinetics of the interaction between a CCl
2
F
2
radio-frequency discharge and gallium arsenide
Том 46, № 3 (2017)
Article
Effect of Ar and He additives on the kinetics of GaAs etching in CF
2
Cl
2
plasma
Том 46, № 4 (2017)
Article
Effect of the mixture composition on the electrophysical parameters and emission spectra of CF
2
Cl
2
/Ar and CF
2
Cl
2
/He plasma
Том 47, № 1 (2018)
Article
Visualization of Defects on the Semiconductor Surface Using a Dielectric Barrier Discharge
Том 47, № 4 (2018)
Article
The Effect of the Mixture Composition on the Electrophysical Parameters of HCl/N
2
Plasma
Том 48, № 4 (2019)
Article
The Effect of an N
2
Additive on the GaAs Etching Rate in CF
2
Cl
2
Plasma
Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады
Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>
cookie файлдары туралы< / a>
TOP