Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 55, № 9 (2019)
Fabrication of ZnSe/InP Heterojunctions on Flat and Shaped Surfaces of InP Laser Crystals
Vasil’ev M., Vasil’ev A., Izotov A., Marenkin S., Pashkova O., Shelyakin A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2017)
Magnetic phase diagram of CoxZn1–xCr2S4 solid solutions
Aminov T., Shabunina G., Busheva E., Novotortsev V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 13 (2016)
Nanocrystalline tin dioxide: Basics in relation with gas sensing phenomena part II. Active centers and sensor behavior
Marikutsa A., Rumyantseva M., Gaskov A., Samoylov A.
PDF
(Eng)
Том 55, № 4 (2019)
Growth, Thermogravimetric Characterization, and Electrical Properties of LiCu3O3 Single Crystals
Bush A., Kamentsev K., Tishchenko E.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2017)
Controlling the phase composition of cadmium sulfide films during pulsed laser deposition
Petukhov I., Parshina L., Novodvorsky O., Putilin F., Lotin A., Khramova O., Mikhalevskii V., Cherebylo E., Kozlovskii V., Marenkin S., Izotov A., Ivanov V., Rumyantseva M.
PDF
(Eng)
Том 52, № 8 (2016)
Tb3+ photoluminescence in mesoporous glasses, terbium nitrate and terbium chloride hexahydrates, and coordination compounds
Gorelik V., Ivicheva S., Lepnev L., Litvinova A.
PDF
(Eng)
Том 55, № 3 (2019)
Magnetic Properties of FeCr2S4-Based Solid Solutions in the FeCr2S4–CdCr2S4 System
Aminov T., Shabunina G., Efimov N., Busheva E., Novotortsev V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2017)
Chemical interaction of InAs, InSb, GaAs, and GaSb crystal surfaces with (NH4)2Cr2O7–HBr–citric acid etching solutions
Tomashyk V., Malanych G., Stanetskaya A., Korchevoi A., Levchenko I., Stratiychuk I.
PDF
(Eng)
Том 52, № 8 (2016)
Magnetic phase diagram of solid solutions in the CoCr2S4–Cu0.5In0.5Cr2S4 system
Aminov T., Shabunina G., Busheva E., Novotortsev V.
PDF
(Eng)
Том 54, № 15 (2018)
Electrical Properties of High-Quality Synthetic Boron-Doped Diamond Single Crystals and Schottky Barrier Diodes on Their Basis
Bormashov V., Terent’ev S., Luparev N., Teteruk D., Kornilov N., Kuznetsov M., Golovanov A., Volkov A., Buga S., Tarelkin S., Blank V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 10 (2017)
Growth of Y3Fe5O12 films on Si with AlOx and SiO2 buffer layers by ion beam sputtering
Stognij A., Novitskii N., Golikova O., Bespalov A., Gieniusz R., Maziewski A., Stupakiewicz A., Smirnova M., Ketsko V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 3 (2016)
Growth of eutectic composites in the InSb–MnSb system
Marenkin S., Kochura A., Fedorchenko I., Izotov A., Vasil’ev M., Trukhan V., Shelkovaya T., Novodvorsky O., Zheludkevich A.
PDF
(Eng)
Том 54, № 12 (2018)
Effect of Particle Size on the Magnetostructural Transformation of a Manganese Monoarsenide-Based Phase in the ZnGeAs2–MnAs System
Marenkin S., Aronov A., Fedorchenko I., Zheludkevich A., Khoroshilov A., Kozlov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 8 (2017)
Photoluminescence of terbium nitrate hexahydrate incorporated into pores of opal photonic crystals
Gorelik V., Lepnev L., Litvinova A.
PDF
(Eng)
Том 52, № 3 (2016)
Modeling the concentration profiles of aluminum and indium impurities in crystals of germanium–silicon solid solutions
Agamaliev Z., Zakhrabekova Z., Kyazimova V., Azhdarov G.
PDF
(Eng)
Том 54, № 11 (2018)
Preparation of Indium Phosphide Substrates for Epilayer Growth
Vasil’ev M., Vasil’ev A., Izotov A., Shelyakin A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 6 (2017)
Oriented In3–xS4 films on the (100) surface of Si, GaAs, and InP single crystals
Naumov A., Sergeeva A., Semenov V.
PDF
(Eng)
Том 54, № 10 (2018)
Magnetic Properties of (Cu0.5In0.5)1 – xFexCr2S4 (x = 0–0.3) Solid Solutions
Aminov T., Busheva E., Shabunina G., Novotortsev V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 4 (2017)
A model for calculating the composition of GaAsxP1–x solid solutions under metalorganic vapor phase epitaxy conditions
Maksimov A., Eistrikh-Geller V., Marmalyuk A., Ladugin M., Bagaev T., Gorlachuk P., Yarotskaya I.
PDF
(Eng)
Том 55, № 11 (2019)
Thermal Annealing As a Means of Controlling the Properties of the Magnetic Semiconductor CdCr2Se4
Vinogradova G., Anzina L., Menshchikova T., Fedorov V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 11 (2017)
Buried crescent InP/InGaAsP/InP heterostructure on p-InP for linear edge-emitting diodes
Vasil’ev M., Vasil’ev A., Kostin Y., Shelyakin A., Izotov A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 2 (2017)
Paramagnetism in CoxZn1–xCr2S4 solid solutions
Aminov T., Shabunina G., Busheva E., Novotortsev V.
PDF
(Eng)
1 - 22 из 22 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».