A Megapixel Matrix Photodetector of the Middle Infrared Range

V. M. Bazovkin; V. S. Varavin; V. V. Vasil’ev; A. V. Glukhov; D. V. Gorshkov; S. A. Dvoretsky; A. P. Kovchavtsev; Yu. S. Makarov; D. V. Marin; I. V. Mzhelsky; V. G. Polovinkin; V. G. Remesnik; I. V. Sabinina; Yu. G. Sidorov; G. Yu. Sidorov; A. S. Stroganov; A. V. Tsarenko; M. V. Yakushev; A. V. Latyshev

doi:10.1134/S1064226919090043

A Megapixel Matrix Photodetector of the Middle Infrared Range

Авторлар: Bazovkin V.M.¹, Varavin V.S.¹, Vasil’ev V.V.¹, Glukhov A.V.², Gorshkov D.V.¹, Dvoretsky S.A.¹, Kovchavtsev A.P.¹, Makarov Y.S.¹, Marin D.V.¹, Mzhelsky I.V.¹, Polovinkin V.G.¹, Remesnik V.G.¹, Sabinina I.V.¹, Sidorov Y.G.¹, Sidorov G.Y.¹, Stroganov A.S.¹, Tsarenko A.V.¹, Yakushev M.V.¹, Latyshev A.V.¹
Мекемелер:
1. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences
2. Research and Production Enterprise JSC
Шығарылым: Том 64, № 9 (2019)
Беттер: 1011-1015
Бөлім: Article
URL: https://journals.rcsi.science/1064-2269/article/view/201223
DOI: https://doi.org/10.1134/S1064226919090043
ID: 201223

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Abstract—The characteristics of MWIRs focal plane aeeays made in the form of a hybrid chip based on a planar n⁺–p-HgCdTe focal matrix with 2048 × 2048 elements and a silicon multiplexer are considered. The temperature dependence of the reverse current of elements in the 125–300 K range had a characteristic Arrhenius dependence with an activation energy close to the band gap of the semiconductor and was limited by the diffusion component of the current. At a lower temperature, the current was limited by the generation of carriers with the participation of a deep level near the middle of the forbidden band. The histogram of the detectability of the elements of the matrix had the form of a symmetric curve with a maximum and an average value ≈ 1.3 × 10¹² cm Hz^1/2/W.

Негізгі сөздер

FPA, HgCdTe, IR matrix, heterostructure, multiplexer, detectability

Қосымша файлдар

Әрекет

1. JATS XML

Жүктеу

Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау

Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?	Тіркеу

Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау

Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?	Тіркеу

A Megapixel Matrix Photodetector of the Middle Infrared Range

Толық мәтін

Аннотация

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

V. Bazovkin

V. Varavin

V. Vasil’ev

A. Glukhov

D. Gorshkov

S. Dvoretsky

A. Kovchavtsev

Yu. Makarov

D. Marin

I. Mzhelsky

V. Polovinkin

V. Remesnik

I. Sabinina

Yu. Sidorov

G. Sidorov

A. Stroganov

A. Tsarenko

M. Yakushev

A. Latyshev

Қосымша файлдар