Effect of Low γ-Radiation Doses on the Optical Properties of Porous Silicon

D. I. Bilenko; O. Ya. Belobrovaya; D. V. Terin; V. V. Galushka; I. V. Galushka; E. A. Zharkova; V. P. Polyanskaya; V. I. Sidorov; I. T. Yagudin

doi:10.1134/S1063782618030077

Effect of Low γ-Radiation Doses on the Optical Properties of Porous Silicon

Авторлар: Bilenko D.I.¹, Belobrovaya O.Y.¹, Terin D.V.¹, Galushka V.V.¹, Galushka I.V.¹, Zharkova E.A.¹, Polyanskaya V.P.¹, Sidorov V.I.¹, Yagudin I.T.¹
Мекемелер:
1. Saratov State University
Шығарылым: Том 52, № 3 (2018)
Беттер: 331-334
Бөлім: Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/202589
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030077
ID: 202589

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The possibility of modifying the photoluminescence properties of porous silicon by irradiation with low doses of γ photons from a ²²⁶Ra radioisotope source and bremsstrahlung is demonstrated. The position of the longest photoluminescence wavelength tends to shift to the short-wavelength region of the spectrum. The emission efficiency increases upon irradiation of both the substrate and the layer formed.