Effect of Low γ-Radiation Doses on the Optical Properties of Porous Silicon

D. I. Bilenko; O. Ya. Belobrovaya; D. V. Terin; V. V. Galushka; I. V. Galushka; E. A. Zharkova; V. P. Polyanskaya; V. I. Sidorov; I. T. Yagudin

doi:10.1134/S1063782618030077

Effect of Low γ-Radiation Doses on the Optical Properties of Porous Silicon

Авторы: Bilenko D.I.¹, Belobrovaya O.Y.¹, Terin D.V.¹, Galushka V.V.¹, Galushka I.V.¹, Zharkova E.A.¹, Polyanskaya V.P.¹, Sidorov V.I.¹, Yagudin I.T.¹
Учреждения:
1. Saratov State University
Выпуск: Том 52, № 3 (2018)
Страницы: 331-334
Раздел: Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/202589
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030077
ID: 202589

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The possibility of modifying the photoluminescence properties of porous silicon by irradiation with low doses of γ photons from a ²²⁶Ra radioisotope source and bremsstrahlung is demonstrated. The position of the longest photoluminescence wavelength tends to shift to the short-wavelength region of the spectrum. The emission efficiency increases upon irradiation of both the substrate and the layer formed.