Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Electrical Properties and Energy Parameters of n-FeS2/p-Cd1 –xZnxTe Heterojunctions
Orletskyi I., Ilashchuk M., Solovan M., Maryanchuk P., Parfenyuk O., Maistruk E., Nichyi S.
GaSb/GaAlAsSb Heterostructure Photodiodes for the Near-IR Spectral Range
Kunitsyna E., Andreev I., Konovalov G., Ivanov E., Pivovarova A., Il’inskaya N., Yakovlev Y.
The effect of the electron–phonon interaction on reverse currents of GaAs-based p–n junctions
Zhukov A.
Charge transfer in rectifying oxide heterostructures and oxide access elements in ReRAM
Stefanovich G., Pergament A., Boriskov P., Kuroptev V., Stefanovich T.
Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates
Samartsev I., Nekorkin S., Zvonkov B., Aleshkin V., Dubinov A., Pashenkin I., Dikareva N., Chigineva A.
1 - 5 из 5 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах