Информация об авторе
Parnes, Ya.
Выпуск | Раздел | Название | Файл |
Том 50, № 2 (2016) | Physics of Semiconductor Devices | Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation | |
Том 51, № 3 (2017) | Physics of Semiconductor Devices | AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors |