Информация об авторе

Stepanov, S. I.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 7 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Chloride epitaxy of β-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates
Том 53, № 6 (2019) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Thick α-Ga2O3 Layers on Sapphire Substrates Grown by Halide Epitaxy

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах