Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Grekhov, M.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 50, № 2 (2016)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates
Том 50, № 4 (2016)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
Том 51, № 3 (2017)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates
Том 51, № 4 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Terahertz radiation in In
0.38
Ga
0.62
As grown on a GaAs wafer with a metamorphic buffer layer under femtosecond laser excitation
Том 52, № 6 (2018)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
X-Ray Diffraction Analysis of Features of the Crystal Structure of GaN/Al
0.32
Ga
0.68
N HEMT-Heterostructures by the Williamson–Hall Method
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP