Информация об авторе
Struchkov, A. I.
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| Том 53, № 11 (2019) | Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) | Do Chemical Effects Affect the Accumulation of Structural Damage during the Implantation of Fluorine Ions into GaN? |