Автор туралы ақпарат

Struchkov, A. I.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 53, № 11 (2019) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Do Chemical Effects Affect the Accumulation of Structural Damage during the Implantation of Fluorine Ions into GaN?

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>