Информация об авторе

Nashchekin, A. V.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 7 (2016) Physics of Semiconductor Devices Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation
Том 51, № 1 (2017) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Surface texture of single-crystal silicon oxidized under a thin V2O5 layer
Том 52, № 13 (2018) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Features of the Selective Growth of GaN Nanorods on Patterned c-Sapphire Substrates of Various Configurations
Том 53, № 4 (2019) Physics of Semiconductor Devices Formation of Porous Silicon by Nanopowder Sintering

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах