Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Fedyukin, A. V.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 50, № 7 (2016)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium
Том 50, № 9 (2016)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates
Том 52, № 1 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Influence of Substrate Misorientation on the Composition and the Structural and Photoluminescence Properties of Epitaxial Layers Grown on GaAs(100)
Том 52, № 9 (2018)
Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors
Effect of Conditions of Electrochemical Etching on the Morphological, Structural, and Optical Properties of Porous Gallium Arsenide
Том 53, № 11 (2019)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
On the Phase Composition, Morphology, and Optical and Electronic Characteristics of AlN Nanofilms Grown on Misoriented GaAs(100) Substrates
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP