Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The results of the experimental observation of stimulated terahertz emission under optical intracenter excitation of uniaxially strained bismuth-doped silicon are presented. Pumping in the presented experiment is performed using a FELIX free-electron laser. It is shown that uniaxial strain of the silicon crystal leads to a significant change in the stimulated emission spectrum of the impurity.

Об авторах

R. Zhukavin

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: zhur@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 607680

S. Pavlov

Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR)

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

A. Pohl

Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

N. Abrosimov

Leibniz-Insitut für Kristallzüchtung (IKZ)

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

H. Riemann

Leibniz-Insitut für Kristallzüchtung (IKZ)

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

B. Redlich

Radboud University Nijmegen, Institute for Molecules and Materials, FELIX Laboratory

Email: zhur@ipmras.ru
Нидерланды, ED Nijmegen, 6525

H.-W. Hübers

Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR); Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489; Berlin, 12489

V. Shastin

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Email: zhur@ipmras.ru
Россия, Nizhny Novgorod, 607680


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах