Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The results of the experimental observation of stimulated terahertz emission under optical intracenter excitation of uniaxially strained bismuth-doped silicon are presented. Pumping in the presented experiment is performed using a FELIX free-electron laser. It is shown that uniaxial strain of the silicon crystal leads to a significant change in the stimulated emission spectrum of the impurity.

Авторлар туралы

R. Zhukavin

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: zhur@ipmras.ru
Ресей, Nizhny Novgorod, 607680

S. Pavlov

Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR)

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

A. Pohl

Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

N. Abrosimov

Leibniz-Insitut für Kristallzüchtung (IKZ)

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

H. Riemann

Leibniz-Insitut für Kristallzüchtung (IKZ)

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489

B. Redlich

Radboud University Nijmegen, Institute for Molecules and Materials, FELIX Laboratory

Email: zhur@ipmras.ru
Нидерланды, ED Nijmegen, 6525

H.-W. Hübers

Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR); Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin

Email: zhur@ipmras.ru
Германия, Berlin, 12489; Berlin, 12489

V. Shastin

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

Email: zhur@ipmras.ru
Ресей, Nizhny Novgorod, 607680


© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>