Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Laser-power converters with a wavelength of λ = 809 nm are fabricated on the basis of single-junction AlGaAs/GaAs heterostructures grown by the method of liquid-phase epitaxy (LPE). Photovoltaic modules with an operating voltage of 4 V for converting radiation of various densities are developed and tested. Two approaches—without the use of optical concentrating systems and with the use of Fresnel lenses are investigated. A monochromatic conversion efficiency exceeding 44% is attained with a photovoltaic module based on 64 laser-radiation converters 0.04 cm2 in area and a concentrating system made of a quartz-lens matrix.

Об авторах

V. Khvostikov

Ioffe Physical–Technical Institute

Автор, ответственный за переписку.
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

S. Sorokina

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Potapovich

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

O. Khvostikova

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

N. Timoshina

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах