Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Laser-power converters with a wavelength of λ = 809 nm are fabricated on the basis of single-junction AlGaAs/GaAs heterostructures grown by the method of liquid-phase epitaxy (LPE). Photovoltaic modules with an operating voltage of 4 V for converting radiation of various densities are developed and tested. Two approaches—without the use of optical concentrating systems and with the use of Fresnel lenses are investigated. A monochromatic conversion efficiency exceeding 44% is attained with a photovoltaic module based on 64 laser-radiation converters 0.04 cm2 in area and a concentrating system made of a quartz-lens matrix.

Авторлар туралы

V. Khvostikov

Ioffe Physical–Technical Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

S. Sorokina

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Potapovich

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

O. Khvostikova

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

N. Timoshina

Ioffe Physical–Technical Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021


© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>