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Volume 53, Nº 15 (2019)
Investigation of the Initial Silicon-on-Sapphire Layer Formed by CVD Techniques
Fedotov S., Sokolov E., Statsenko V., Romashkin A., Timoshenkov S.
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(Eng)
Volume 53, Nº 13 (2019)
Influence of Heat Treatments on the Properties of ZnO Nanorods Prepared by Hydrothermal Synthesis
Hyunggun Ma
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(Eng)
Volume 53, Nº 12 (2019)
The Effect of Various Annealing Cooling Rates on Electrical and Morphological Properties of TiO2 Thin Films
Asalzadeh S., Yasserian K.
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(Eng)
Volume 53, Nº 11 (2019)
Changes in the Photoluminescence Properties of Semiconductor Heterostructures after Ion-Beam Etching
Levitskii Y., Mitrofanov M., Voznyuk G., Nikolayev D., Mizerov M., Evtikhiev V.
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(Eng)
Volume 50, Nº 4 (2016)
Optical and structural properties of Cu2ZnSnS4 thin films obtained by pulsed laser deposition in a H2S atmosphere with subsequent annealing in a N2 atmosphere
Teterina G., Nevolin V., Sipaylo I., Medvedeva S., Teterin P.
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(Eng)
Volume 50, Nº 2 (2016)
Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride
Korolev D., Mikhaylov A., Belov A., Vasiliev V., Guseinov D., Okulich E., Shemukhin A., Surodin S., Nikolitchev D., Nezhdanov A., Pirogov A., Pavlov D., Tetelbaum D.
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(Eng)
Volume 53, Nº 16 (2019)
Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
Sakharov A., Kaliteevskii M., Voznyuk G., Levitskii I., Mitrofanov M., Tsatsulnikov A., Lundin W., Rodin S., Usov S., Evtikhiev V.
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(Eng)
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