Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
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Informaçao sobre o Autor
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Vexler, M.
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Volume 50, Nº 5 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Features of carrier tunneling between the silicon valence band and metal in devices based on the Al/high-
K
oxide/SiO
2
/Si structure
Volume 51, Nº 4 (2017)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Quantum-well charge and voltage distribution in a metal–insulator–semiconductor structure upon resonant electron Tunneling
Volume 52, Nº 2 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Physical Principles of Self-Consistent Simulation of the Generation of Interface States and the Transport of Hot Charge Carriers in Field-Effect Transistors Based on Metal–Oxide–Semiconductor Structures
Volume 52, Nº 8 (2018)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Simulating Tunneling Electron Transport in the Semiconductor–Crystalline Insulator–Si(111) System
Volume 52, Nº 10 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Volume 52, Nº 13 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Impact of the Device Geometric Parameters on Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Volume 53, Nº 6 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer
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