Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
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Informaçao sobre o Autor
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Asryan, L. V.
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Volume 50, Nº 5 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers
Volume 50, Nº 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Theory of the power characteristics of quantum-well lasers with asymmetric barrier layers: Inclusion of asymmetry in electron- and hole-state filling
Volume 51, Nº 2 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers
Volume 51, Nº 7 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers
Volume 52, Nº 12 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Violation of Local Electroneutrality in the Quantum Well of a Semiconductor Laser with Asymmetric Barrier Layers
Volume 52, Nº 14 (2018)
Lasers and Optoelectronic Devices
A Search for Asymmetric Barrier Layers for 1550 nm Al-Free Diode Lasers
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