Informaçao sobre o Autor
Gajiev, G. M.
Edição | Seção | Título | Arquivo |
Volume 51, Nº 3 (2017) | Physics of Semiconductor Devices | Specific features of the capacitance–voltage characteristics of a Cu–SiO2–p-InSb MIS structure | |
Volume 53, Nº 12 (2019) | Electronic Properties of Semiconductors | On the Characteristic Features of the Impurity Energy Spectrum in Arsenides |