Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
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Tetelbaum, D.
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Volume 50, Nº 2 (2016)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride
Volume 52, Nº 7 (2018)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si
+
Ion Implantation
Volume 52, Nº 9 (2018)
Spectroscopy, Interaction with Radiation
Calculation of the Influence of the Ion Current Density and Temperature on the Accumulation Kinetics of Point Defects under the Irradiation of Si with Light Ions
Volume 52, Nº 12 (2018)
Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018
Behavioral Features of MIS Memristors with a Si
3
N
4
Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate
Volume 53, Nº 8 (2019)
Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion)
Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO
2
Films
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