Автор туралы ақпарат

Sushkov, A.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 51, № 11 (2017) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates
Том 53, № 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 On the Combined Application of Raman Spectroscopy and Photoluminescence Spectroscopy for the Diagnostics of Multilayer Heterostructures
Том 53, № 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate

Осы сайт cookie-файлдарды пайдаланады

Біздің сайтты пайдалануды жалғастыра отырып, сіз сайттың дұрыс жұмыс істеуін қамтамасыз ететін cookie файлдарын өңдеуге келісім бересіз.< / br>< / br>cookie файлдары туралы< / a>