Search

Issue
Title
Authors
No 1 (2025)
Wave Functions of Positrons Channeling in [111] Direction of a Silicon Crystal
Syshchenko V.V., Tarnovsky A.I., Parakhin A.S., Isupov A.Y.
PDF
(Rus)
No 1 (2025)
Influence of Etching Modes on the Surface Topography of Silicon Plates and Their Adhesion Properties
Shcherbakova О.О., Muravyeva T.I., Tsukanov I.Y.
PDF
(Rus)
No 8 (2023)
Influence of the Substrate on the Photoluminescence Spectra of CaF2/Si Multilayer Structures
Velichko A.A., Ilyushin V.A., Krupin A.Y., Filimonova N.I., Rudenko I.E.
PDF
(Rus)
No 11 (2024)
Self-Forming Silicon Nitride Nanomask and Its Applications
Smirnov V.K., Kibalov D.S., Lepshin P.A., Zhuravlev I.V., Smirnova G.F.
PDF
(Rus)
No 4 (2024)
Modeling of silicon irradiation with C60 ions and the role of the interaction potential
Karasev K.P., Strizhkin D.A., Titov A.I., Karaseov P.A.
PDF
(Rus)
No 1 (2023)
Molecular Dynamic Simulation of Silicon Irradiation with 2–8 keV Buckminsterfullerene C60 Ions
Karasev K.P., Strizhkin D.A., Titov A.I., Karaseov P.A.
PDF
(Rus)
No 11 (2024)
Migration of Chromium on the Silicon Oxide Surface under the Strong Electric Field
Uvarov I.V., Mazaletsky L.A.
PDF
(Rus)
No 4 (2024)
Changes in the optical properties of coatings based on hollow ZnO/SiO2 particles under electron irradiation
Dudin A.N., Yurina V.Y., Neshchimenko V.V., Mikhailov M.M., Yuriev S.A., Lapin A.N.
PDF
(Rus)
No 10 (2024)
Investigation of high-intensity implantation of titanium ions into silicon under conditions of the beam’s energy impact on the surface
Ivanova А.I., Vakhrushev D.О., Korneva О.S., Gurulev А.V., Varlachev V.А., Efimov D.D., Chernyshev А.А.
PDF
(Rus)
No 4 (2024)
On the growth of InGaN nanowires by molecular-beam epitaxy: influence of the III/V flux ratio on the structural and optical properties
Gridchin V.O., Komarov S.D., Soshnikov I.P., Shtrom I.V., Reznik R.R., Kryzhanovskaya N.V., Cirlin G.E.
PDF
(Rus)
No 10 (2024)
Study of silicon dioxide sputtering by a focused gallium ion beam
Podorozhniy О.V., Rumyantsev А.V., Volkov R.L., Borgardt N.I.
PDF
(Rus)
No 1 (2024)
Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus
Zikrillaev N.F., Koveshnikov S.V., Turekeev X.S., Ismailov B.K.
PDF
(Rus)
No 9 (2024)
On anomalous diffusion of fast electrons through the silicon crystal
Syshchenko V.V., Tarnovsky A.I., Dronik V.I.
PDF
(Rus)
No 11 (2023)
Formation of Zn-Containing Clusters in Implanted Si3N4 Film
Tereshchenko A.N., Privezentsev V.V., Firsov A.A., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Voronova M.I.
PDF
(Rus)
No 9 (2024)
Dependence of the silicon carbide radiation resistance on the irradiation temperature
Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Levinshtein M.E., Davydovskaya K.S., Kuzmin R.A.
PDF
(Rus)
No 12 (2023)
Microstrip Silicon Detector for Study of Ultra-Fast Processes at the Synchrotron Radiation Beam
Aulchenko V.M., Glushak A.A., Zhulanov V.V., Zhuravlev A.N., Kiselev V.A., Kudryavtsev .N., Piminov P.A., Titov V.M., Shekhtman L.I.
PDF
(Rus)
No 12 (2024)
Study of zinc implanted silicon nitride film
Privezentsev V.V., Firsov А.А., Kulikauskas V.S., Kiselev D.А., Senatulin B.R.
PDF
(Rus)
No 8 (2024)
Development of a Linear Position-Sensitive Scintillation Neutron Detector Based on ZnS(AG):6Li and Silicon Photomultipliers
Trunov D.N., Marin V.N., Sadykov R.A., Altynbaev E.V., Glushkova T.I.
PDF
(Rus)
No 11 (2024)
Control of Mask Erosion and Correction of Structure Profile in an Adapted Process of Deep Reactive Ion Etching of Silicon
Morozov O.V.
PDF
(Rus)
No 7 (2024)
Formation of thin GaAs buffer layers on silicon for light-emitting devices
Lendyashova V.V., Ilkiv I.V., Borodin B.R., Kirilenko D.A., Dragunova A.S., Shugabaev T.М., Cirlin G.E.
PDF
(Rus)
No 4 (2023)
Simulation of Optical Parameters of Scintillation Position-Sensitive Detectors with Organic Light Guide
Trunov D.N., Marin V.N., Sadykov R.A., Altynbaev E.V., Glushkova T.I.
PDF
(Rus)
1 - 21 of 21 Items

Search tips:

  • Search terms are case-insensitive
  • Common words are ignored
  • By default only articles containing all terms in the query are returned (i.e., AND is implied)
  • Combine multiple words with OR to find articles containing either term; e.g., education OR research
  • Use parentheses to create more complex queries; e.g., archive ((journal OR conference) NOT theses)
  • Search for an exact phrase by putting it in quotes; e.g., "open access publishing"
  • Exclude a word by prefixing it with - or NOT; e.g. online -politics or online NOT politics
  • Use * in a term as a wildcard to match any sequence of characters; e.g., soci* morality would match documents containing "sociological" or "societal"

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».