Редакционная политика

Тематика журнала

Журнал посвящён технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), травлении, легировании, осаждении и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Значительное место отводится пучковым и плазменным технологиям, в том числе молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и полупроводниковые реализации квантовых битов (кубитов). Рассматриваются проблемы анализа и синтеза электронных схем на биполярных и полевых транзисторах, в частности КМОП- и БиКМОП-схем.

Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений и производственно-контрольных лабораторий, а также для аспирантов.

 
 

Периодичность

Периодичность: 6 выпусков в год

 

Индексация

Индексация:

  • переводная версия в Scopus
  • ВАК
  • РИНЦ

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах