Редакционная политика
Тематика журнала
Журнал посвящён технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), травлении, легировании, осаждении и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Значительное место отводится пучковым и плазменным технологиям, в том числе молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и полупроводниковые реализации квантовых битов (кубитов). Рассматриваются проблемы анализа и синтеза электронных схем на биполярных и полевых транзисторах, в частности КМОП- и БиКМОП-схем.
Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений и производственно-контрольных лабораторий, а также для аспирантов.
Разделы и направления
ДИАГНОСТИКА
ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРОВ
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
МОДЕЛИРОВАНИЕ
ЛИТОГРАФИЯ
ПРИБОРЫ
ТЕХНОЛОГИЯ
МЭМС–УСТРОЙСТВА
ТЕХНОЛОГИИ
УСТРОЙСТВА
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
НАДЕЖНОСТЬ
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
ПАМЯТЬ
СЕНСОРЫ
МЭМС-УСТРОЙСТВА
Периодичность
Периодичность: 6 выпусков в год
Индексация
Индексация:
- переводная версия в Scopus
- ВАК
- РИНЦ