Том 69, № 4 (2024)
ДИФРАКЦИЯ И РАССЕЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
Численное моделирование эффекта фокусировки рентгеновских лучей с помощью рефракционно-дифракционной линзы
Аннотация
Теоретически исследуются особенности фокусировки рентгеновских лучей с помощью рефракционно-дифракционной линзы, состоящей из двух асимметрично отражающих кристаллов с факторами асимметрии, произведение которых равно единице, и преломляющей линзы с большим фокусным расстоянием. Кристаллы позволяют сократить фокусное расстояние линзы в b2 раз, где b – фактор асимметрии второго кристалла. Выполнено детальное численное моделирование эффекта фокусировки излучения с помощью рефракционно-дифракционной линзы, для которого использовалась универсальная компьютерная программа XRWP, созданная для расчета эффектов когерентной рентгеновской оптики. Получены аналитические формулы для оптимальных значений апертуры и радиуса кривизны линзы, а также для ширины спектра излучения, который может быть сфокусирован.
Быстрый численный расчет рентгеновской дифракции от кристаллических микросистем
Аннотация
Разработан метод быстрого численного расчета рентгеновской дифракции в кинематическом приближении от тонких кристаллических микросистем. Скорость вычислений карт интенсивности рассеяния вблизи узла обратной решетки с использованием этого подхода на 3–4 порядка выше, чем скорость расчетов на основе уравнений Такаги–Топена или двумерных рекуррентных соотношений. В рамках полученных решений выполнено численное моделирование картографирования рентгеновской дифракции в обратном пространстве для трех моделей кристаллических чипов микросистем.
КРИСТАЛЛОХИМИЯ
Растворение примесей в натрий-гадолиниевом молибдате NaGd(MoO4)2
Аннотация
Методом межатомных потенциалов проведено моделирование примесных дефектов в натрий-гадолиниевом молибдате NaGd(MoO4)2. Оценена энергия растворения трех-, двух- и одновалентных примесей. Построены зависимости энергии растворения от ионного радиуса примеси. Для гетеровалентных замещений найден энергетически наиболее выгодный механизм компенсации заряда как за счет собственных дефектов кристалла, так и по схеме сопряженного изоморфизма. Определены позиции наиболее вероятной локализации дефектов. Оценено влияние разупорядочения ионов натрия и гадолиния на позиционные различия в энергии дефектов. Сравнение растворимости примесей в NaGd(MoO4)2 и изоструктурном ему CaMoO4 свидетельствует о том, что, хотя изовалентные замещения энергетически выгоднее, чем гетеровалентные, механизм сопряженного изоморфизма, обеспечивающего электронейтральность, может уравнять эти процессы.
СТРУКТУРА НЕОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
Новые тройные интерметаллиды R4Ru2Ga3 (R = Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er)
Аннотация
В тройных системах R–Ru–Ga обнаружен ряд новых изоструктурных тройных интерметаллидов состава R4Ru2Ga3 (R = Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er). Рентгеновское исследование монокристалла Nd4Ru2Ga3 показало, что данное соединение кристаллизуется в моноклинной системе и является представителем нового структурного типа: a = 10.899(3), b = 4.0533(11), c = 9.720(3) Å, β = 111.080(7)° пр. гр. С2, Z = 2, R1 = 0.043, wR2 = 0.077 для 1518 отражений. Особенностью структуры является наличие в ней искаженных фрагментов RuNd6 (тип AlB2) и GaNd8 (тип CsCl). Минимальное расстояние Nd–Ru в полиэдре составляет 2.8463(16) Å, что значительно короче суммы их атомных радиусов. Параметры и объемы элементарных ячеек в ряду R4Ru2Ga3 (R = Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er) уменьшаются в соответствии с лантанидным сжатием, а температуры плавления возрастают.
Разнообразие структурных блоков [M(IO3)6] в семействах иодатов и новая тригональная разновидность Cs2HIn(IO3)6
Аннотация
В гидротермальных условиях получены кристаллы новой структурной высокосимметричной разновидности Cs2HIn(IO3)6, которая кристаллизуется в пр. гр. R3 с параметрами элементарной ячейки: a = 11.8999(4), c = 11.6513(5) Å. Проведено кристаллохимическое сравнение с исследованной ранее триклинной модификацией. Обе структуры составлены из изолированных блоков [In(IO3)6]3–. Новая разновидность входит в семейство тригональных иодатов, изоструктурных соединению K2Ge(IO3)6. Рассмотрена локальная симметрия отдельных блоков [M(IO3)6] (M = Ge, Ti, Sn, Ga, In и ряд других металлов) и предложена структурная систематика семейств иодатов на основе сравнительного кристаллохимического анализа. Обсуждается влияние катионного состава и условий синтеза на симметрию и топологию кристаллических структур, а также влияние локальной симметрии отдельных блоков на физические свойства соединений.
СТРУКТУРА ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
Галогенные связи в производных 2,5-дииод-1,4-диметилбензола
Аннотация
Описан синтез 1,4-ди(бромметил)-2,5-дииод-бензола (1), диацетата 2,5-дииод-1,4-ди(гидроксиметил)бензола (2) и дииодида 1,1´-[(2,5-дийодо-1,4-фенилен)бис(метилен)]дипиридиния (3), а также приведены их кристаллографические данные. Все три кристаллические структуры отличаются стопочной упаковкой плоских молекул и наличием галогенных связей I···Br, I···O и I···I соответственно. Число галогенных связей максимально в соединении 1: по две связи I···Br на каждый атом галогена. Соединения 2 и 3 содержат по одной галогенной связи на атом галогена, однако они существенно короче, чем в соединении 1. Все кристаллы исследованы методами ИК-спектроскопии и синхронного термического анализа. Соединение 1, не имеющее ионных или водородных связей, плавится при более высокой температуре, чем ионное соединение 3 (218 и 200°C соответственно), благодаря наличию большого количества межмолекулярных галогенных связей. Соединение 2 плавится при более низкой температуре (151°C), что характерно для сложных эфиров.
ДИНАМИКА РЕШЕТКИ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Уточнение параметров элементарной ячейки на современных монокристальных дифрактометрах. Изучение анизотропии теплового расширения монокристалла α-33S
Аннотация
Описана методика уточнения параметров элементарной ячейки кристаллов произвольной сингонии на современных монокристальных дифрактометрах. В основе методики лежит калибровка положения 2D-детектора. Проведено уточнение параметров элементарной ромбической ячейки монокристалла α-33S. Изучена анизотропия изменения параметров в интервале 90–350 К. Показано, что относительное увеличение параметра с составляет 6.4%. Полученные зависимости аппроксимированы полиномами второй–третьей степени. Абсолютное увеличение объема ячейки составило 138.4 Å3, а относительное – 4.3%. Уточнен температурный ход элементов тензора теплового расширения. Коэффициенты теплового расширения α-33S при комнатной температуре составили: α11 = 15.35 × 10–5, α22 = 8.56 × 10–5, α33 = 9.12 × 10–5 К–1.
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ
Индуцирование вязких мод разрушения льда и радикальное повышение энергоемкости его деструкции путем введения наноразмерных добавок
Аннотация
Низкая прочность и высокая хрупкость льда при всей привлекательности других его свойств ограничивают широкое применение ледовых материалов в качестве строительных в зонах с холодным климатом на Земле (в Арктике, Антарктике, высокогорных районах на всех континентах), а также при планируемом рядом стран создании обитаемых колоний на Луне и Марсе. Экспериментально исследованы возможности увеличения несущей способности и энергоемкости разрушения льда и нанокомпозитов на его основе путем введения в их состав добавок поливинилового спирта и наночастиц SiO2. Изучены концентрационные зависимости эффектов улучшения этих механических характеристик. Установлены принципиальная возможность и количественные закономерности инициирования перехода от хрупкой моды разрушения в чистом льде к вязкой по мере увеличения содержания добавок в ледовых композитах и, как следствие, радикального, на 2–3 порядка величины роста энергоемкости их деструкции.
Исследование температурных свойств I.H.P.-структуры и ее применение для фильтров на поверхностных акустических волнах
Аннотация
Приведены результаты исследования температурных свойств I.H.P.-структур на многослойной подложке танталат лития/пленка диоксида кремния/кремний, используемых для улучшения характеристик устройств на поверхностных акустических волнах. Выполнено моделирование тестовых структур методом конечных элементов в пакете COMSOL и рассчитан температурный коэффициент частоты. Представлено сравнение рассчитанного коэффициента передачи резонаторного фильтра на традиционной монокристаллической подложке танталата лития 36°YX-среза и I.H.P.-фильтра при различных значениях температуры. Показана возможность минимизации температурного коэффициента частоты подбором толщины слоев подложки. Сравнение полученных результатов с известными данными показало хорошее совпадение. Практическая значимость состоит в использовании результатов моделирования и рассчитанных параметров при разработке различных классов устройств на многослойных подложках, в том числе с I.H.P.-структурами.
ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
Морфология и пространственное распределение упорядоченных доменов в GaInP/GaAs(001) по данным просвечивающей электронной микроскопии
Аннотация
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована структура эпитаксиальных пленок твердого раствора GaInP, в которых происходит упорядочение. Пленки выращены методом металлоорганической газофазной эпитаксии на подложках GaAs(001) вблизи точки половинного состава. В процессе исследования проанализированы темнопольные изображения, полученные с использованием сверхструктурных отражений, для поперечного и планарного сечений пленок. Определена морфология и взаимное пространственное расположение упорядоченных доменов. Обнаружено явление спонтанной самоорганизации областей с вариантами упорядочения CuPt–B+ и CuPt–B– вблизи поверхности, в то время как в объеме пленки домены располагаются однородно и взаимно перекрывают друг друга. Эффект пространственного разделения доменов связывают с релаксацией напряжений несоответствия в растущем эпитаксиальном слое, приводящей к изменению рельефа поверхности.
Тонкопленочные полидиацетилены стабильной голубой фазы на основе симметричных и несимметричных диацетиленовых N-арилкарбаматов
Аннотация
Изучены условия и особенности формирования ленгмюровских монослоев симметричного и несимметричного диацетиленовых N-арилкарбаматов и структурная организация пленок Ленгмюра–Шефера на их основе. Фотополимеризация монослойных твердых пленок двух типов молекул контролировалась с помощью спектроскопии поглощения и показала переход молекул диинов в состояние полидиацетиленов голубой фазы. Эффективность реакции твердофазной топохимической полимеризации в пленке симметричных диинов оказалась в 5 раз выше, чем в пленке несимметричных молекул диина. Морфология поверхностей монослоев до и после УФ-облучения изучалась с помощью сканирующей электронной микроскопии.
НАНОМАТЕРИАЛЫ, КЕРАМИКА
Исследование электрических свойств и характеризация металлополимерного проводника на основе серебросодержащих нанопроволок
Аннотация
Показана возможность образования проводящего металлополимерного композита на основе массива пересекающихся серебросодержащих нанопроволок. Электрические и механические характеристики композитов зависят как от времени осаждения, так и от отношения площадей анода и катода. Механические характеристики полученных металлополимерных композитов выше по сравнению с полимерными трековыми мембранами из полиэтилентерефталата. С увеличением отношения площадей анода и катода и времени осаждения падают электропроводимость (0.0025 Ом–1 при 100 циклах роста, 0.0033 Ом–1 при 50 циклах), прочность (90 МПа при 100 циклах, 99 МПа при 50 циклах) и модуль упругости (4.7 ГПа при 100 циклах, 5.4 ГПа при 50 циклах). Проводящие серебросодержащие нанопроволоки могут играть роль армирующих структур для проводящих металлополимерных композитов, обладающих высокой электропроводностью, и применяться в элементах гибкой электроники.
Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера на поверхности окисленного кремния и послойно выращенного оксида цинка
Аннотация
Приведены результаты исследования электронных состояний зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера 1,4-бис(5-фенилфуран-2-ил)бензола и пограничного потенциального барьера при формировании этих пленок на поверхности (SiO2)n-Si и послойно осажденного ZnO. В процессе формирования пленки соолигомера толщиной 8–10 нм применяли методику электронной спектроскопии полного тока, исследовали энергетический диапазон от 5 до 20 эВ выше EF. Пленки фуран-фениленового соолигомера на поверхности (SiO2)n-Si обладают доменной структурой с характерным размером домена ~1 × 1 мкм и шероховатостью поверхности в рамках домена не более 1 нм. Пленки на поверхности ZnO имеют зернистую структуру с высотой зерна 40–50 нм.
Синтез наноразмерного твердого электролита Pr1–ySryF3–y и исследование влияния термообработки на ионную проводимость фторидной нанокерамики
Аннотация
Нанокерамику твердого электролита Pr1–ySryF3–y (y = 0.03, пр. гр. P3c1) получали методом высокоэнергетического механодиспергирования выращенных из расплава кристаллов с последующим холодным прессованием. Фазовый состав, микроструктура, морфология и электрофизические свойства нанокерамики изучены методами рентгенофазового анализа, электронной микроскопии и импедансной спектроскопии. Значение проводимости синтезированной нанокерамики Pr0.97Sr0.03F2.97 при комнатной температуре (σcer = 1.7 × 10–7 См/см) существенно ниже проводимости исходного монокристалла (σcrys = 4.0 × 10–4 См/см), что обусловлено ее низкой (~75% от теоретического значения) плотностью. Термическая обработка нанокерамики при 823 K в вакууме приводит к росту величины σcer в 3 раза, а отжиг при 1273 K во фторирующей атмосфере – к дальнейшему росту проводимости (σcer = 4.3 × 10–5 См/см) вследствие процесса собирательной рекристаллизации и значительному увеличению плотности керамики до 90%. Техника механического измельчения и последующая термообработка нанопорошка Pr1–ySryF3–y позволяют получать однофазную высокопроводящую керамику. Разработанная методика синтеза керамических фторидных наноматериалов в качестве технологической формы твердых электролитов является многообещающим направлением дальнейших разработок в области создания фтор-ионных источников тока и газовых датчиков фтора.
Микрофлюидный синтез гибридных микрочастиц карбоната кальция, модифицированных наночастицами серебра
Аннотация
Разработка передовых методов синтеза нано- и микрочастиц для задач биомедицины вызывает значительный интерес. Предложен метод синтеза субмикронных частиц карбоната кальция с серебряной оболочкой с помощью микрофлюидного чипа, предназначенного для обеспечения контроля над формированием частиц. Точное управление параметрами реакции дает возможность контролируемым образом формировать серебряную оболочку и частицы карбоната кальция. Анализ распределения пор внутри гибридных частиц проведен методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей, что позволило получить представление о сложной структуре пор. Полученные результаты дают информацию о морфологии частиц и могут способствовать разработке новых материалов на основе карбоната кальция для различных применений.
РОСТ КРИСТАЛЛОВ
Влияние температуры на стабильность кластера-прекурсора кристалла термолизина
Аннотация
С помощью метода молекулярной динамики проведена оценка стабильности кластера-прекурсора (гексамера) кристалла термолизина в широком диапазоне температур (10–90°C). Результаты моделирования показали, что с увеличением температуры стабильность гексамера в целом снижается, однако гексамер не распадается ни при одной из рассмотренных температур. При 60°C обнаружено повышение стабильности гексамера. Это значение близко к температуре максимальной ферментативной активности термолизина (70°C). Исходя из анализа результатов предположено, что кристаллизацию термолизина возможно провести при 60°C.
Исследование особенностей концентрационных неоднородностей при наземной отработке космического эксперимента по росту кристаллов Gе(Ga)
Аннотация
Представлены результаты подготовки и наземной отработки космического эксперимента по выращиванию кристаллов Ge(Ga), планируемого на борту многофункционального лабораторного модуля в составе российского сегмента Международной космической станции. В условиях, моделирующих микрогравитацию, исследованы особенности формирования концентрационной неоднородности в виде полос роста при выращивании кристаллов в различных тепловых условиях (при наличии или отсутствии свободной поверхности расплава (конвекции Марангони)), а также при изменении технологических параметров (вариации скорости роста). По полученным результатам металлографических и электрофизических исследований сделаны выводы об особенностях влияния в условиях микрогравитации технологических параметров процесса кристаллизации на структурное совершенство выращиваемых кристаллов.
Переходы между равновесными и неравновесными явлениями в описании роста кристалла
Аннотация
Тесное переплетение равновесных и неравновесных термодинамических представлений и переходов между двумя предельными принципами термодинамики: вторым началом и принципом наименьшего принуждения (минимумом производства энтропии в стационарном режиме) – составляет основное содержание феноменологических теорий роста кристалла. Различие базовых постулатов двух разделов термодинамики вынуждает обсуждать проблемы обратимости и необратимости времени, масштабов наблюдаемых явлений и правил сопряжения термодинамических сил и потоков в теориях роста кристалла. Вариант решения некоторых проблем сопряжения показан на примере флуктуационной модели дислокационного роста кристалла, в основе которой лежит стационарный изотермический процесс термодинамических флуктуаций свободной энергии. В случае предельного режима адсорбции примесей на грани кристалла по модели Ленгмюра флуктуации свободной энергии, обладающие отсутствием эффекта памяти, позволяют выделить три химических потенциала строительных частиц, определяющих соответствующие значения пересыщений раствора, реализующиеся на разных масштабных уровнях у растущей грани кристалла, содержащей винтовую дислокацию. Пересыщения управляют квазиравновесными и неравновесными термодинамическими процессами, составляющими единый дислокационный механизм роста кристалла.
К вопросу о механизме роста кристаллов лактозы из пересыщенных растворов
Аннотация
Представлено обоснование существования зон кавитации на гранях растущего кристалла лактозы и ее движущей роли в процессе роста кристалла. Показано, что наиболее благоприятные условия для преобразования растворенной лактозы в кристаллическую форму создаются вокруг ребер кристалла в зонах фазового перехода. Рассчитан размер зоны фазового перехода кристаллизующегося вещества и сопоставлен с имеющимися данными о размере кристаллических зародышей. Получены значения радиуса зон кавитации, которые составили r2 ~ 7 нм (для кристалла размером 60.5 мкм, при температуре 30°C и пересыщении 0.55) и r2 ~ 30 нм (для кристалла размером 84 мкм, при температуре 50°C и пересыщении 1.88). Предложена математическая модель скорости роста кристалла лактозы в пересыщенном растворе. Обоснована возможность изучения механизмов кристаллизации и определения скорости роста кристаллов лактозы на основе теории динамического взаимодействия тел и жидкости А.Я. Миловича.
ПРИБОРЫ, АППАРАТУРА
Гиперспектральная рентгеновская камера на базе матриц прямого преобразования
Аннотация
Pеализован позиционно-чувствительный спектрометр с субпиксельным пространственным разрешением на базе матричной ПЗС-камеры. Работа спектрометра основана на представленном алгоритме анализа кадров с единичными индуцированными воздействием фотонов событиями в режиме реального времени. Проведен анализ факторов, влияющих на энергетическое разрешение, формирование артефактов в энергетических спектрах, эффективность счета. Предложен алгоритм получения субпиксельного разрешения с применением сингулярного матричного разложения. Работа алгоритма протестирована на синтезированных экспериментальных данных, а также в реальном эксперименте с регистрацией пространственно-энергетической структуры флуоресцентного излучения слоистой системы. Продемонстрирован потенциал применения гиперспектральной визуализации для экспериментального метода стоячих рентгеновских волн в геометрии нормального падения и скользящего выхода флуоресцентного излучения.
Светоизлучающие AlGaAs/GaAs-диоды на основе InGaAs скомпенсированных квантовых ям с минимизированными внутренними потерями на поглощение излучения 940 нм
Аннотация
Разработаны ИК-светоизлучающие диоды на основе InGaAs/AlGaAs множественных квантовых ям и AlxGa1–xAsyP1–y-слоев, компенсирующих напряжения в активной области. Исследованы оптические потери на поглощение генерируемого активной областью излучения (λ = 940 нм) при различном уровне легирования подложек n-GaAs. Показано, что уменьшение уровня донорного легирования с 4 × 1018 до 5 × 1017 см–3 дает прирост квантовой эффективности светодиодов ~ 30%. Разработана технология, позволяющая полностью нивелировать оптические потери на поглощение при выводе излучения. Путем удаления подложки и переноса структуры прибора на подложку-носитель с формированием тыльного металлического отражателя созданы светодиоды, демонстрирующие двукратное повышение внешней квантовой эффективности и КПД (~40%) по сравнению с технологией вывода излучения через подложку n-GaAs.