Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Jmerik, V.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 50, № 7 (2016)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Specific features of the cathodoluminescence spectra of AlInGaN QWs, caused by the influence of phase separation and internal electric fields
Том 52, № 5 (2018)
XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Technology
Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands
Том 52, № 5 (2018)
XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Technology
Site-Controlled Growth of GaN Nanorods with Inserted InGaN Quantum Wells on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates by Plasma-Assisted MBE
Том 52, № 13 (2018)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Features of the Selective Growth of GaN Nanorods on Patterned
c
-Sapphire Substrates of Various Configurations
Том 53, № 11 (2019)
Surfaces, Interfaces, and Thin Films
Boson Peak Related to Ga Nanoclusters in AlGaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy at Ga-Rich Conditions
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP