Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Меню
Архив
Главная
О журнале
Редакция
Редакционная политика
Правила для авторов
О журнале
Выпуски
Поиск
Текущий выпуск
Архив
Контакты
Все журналы
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
×
Пользователь
Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня
Забыли пароль?
Регистрация
Уведомления
Посмотреть
Подписаться
Поиск
Поиск
Область поиска
Все
Авторы
Название
Резюме
Термины
Полный текст
Листать
выпуски
авторы
по заглавиям
по разделам
другие журналы
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Ключевые слова
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Информация
Для читателей
Авторам
Для библиотек
Главная
>
Поиск
>
Информация об авторе
Информация об авторе
Moiseev, E. I.
Выпуск
Раздел
Название
Файл
Том 50, № 3 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Том 50, № 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency
Том 51, № 2 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers
Том 51, № 2 (2017)
Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures
Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates
Том 51, № 9 (2017)
Electronic Properties of Semiconductors
Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range
Том 52, № 12 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Violation of Local Electroneutrality in the Quantum Well of a Semiconductor Laser with Asymmetric Barrier Layers
Том 53, № 2 (2019)
Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena
Silicon Nanopillar Microarrays: Formation and Resonance Reflection of Light
Том 53, № 8 (2019)
Physics of Semiconductor Devices
Evaluation of the Impact of Surface Recombination in Microdisk Lasers by Means of High-Frequency Modulation
Том 53, № 14 (2019)
Lasers and Optoelectronic Devices
Record Low Threshold Current Density in Quantum Dot Microdisk Laser
Данный сайт использует cookie-файлы
Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.
О куки-файлах
TOP