Etching of Disc and Ring Patterns in Si3N4/GaN Structure by Ga+ FIB
- Авторы: Mitrofanov M.1, Voznyuk G.1, Rodin S.1, Lundin W.1, Evtikhiev V.1, Tsatsulnikov A.2
-
Учреждения:
- Ioffe Institute
- SHM R and E Center, Russian Academy of Sciences
- Выпуск: Том 53, № 16 (2019)
- Страницы: 2100-2102
- Раздел: Nanostructures Technology
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/207599
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619120170
- ID: 207599
Цитировать
Аннотация
Ключевые слова
Об авторах
M. Mitrofanov
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021
G. Voznyuk
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: glebufa0@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 194021
S. Rodin
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: s_rodin77@mail.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
W. Lundin
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
V. Evtikhiev
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: evtikhiev@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
A. Tsatsulnikov
SHM R and E Center, Russian Academy of Sciences
Автор, ответственный за переписку.
Email: andrew@beam.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg