Optical Estimation of the Carrier Concentration and the Value of Strain in Monolayer Graphene Grown on 4H-SiC
- Авторы: Eliseyev I.1, Davydov V.1, Smirnov A.1, Nestoklon M.1, Dementev P.1, Lebedev S.1, Lebedev A.1, Zubov A.2, Mathew S.3,4, Pezoldt J.3, Bokai K.5, Usachov D.5
-
Учреждения:
- Ioffe Institute
- ITMO University
- Technische Universität Ilmenau
- Friedrich-Schiller-Universität Jena
- Saint-Petersburg State University
- Выпуск: Том 53, № 14 (2019)
- Страницы: 1904-1909
- Раздел: Nanostructures Characterization
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/207513
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619140057
- ID: 207513
Цитировать
Аннотация
Systematic studies of the effect of the electron concentration on the Raman spectra of single-layer graphene films have been carried out. The samples were grown by thermal destruction of the Si-face of the 4H-SiC substrate. Analysis of the results led us to the conclusion that for the correct estimation of the electron concentration and strain values in graphene using Raman spectroscopy data it is necessary to take into account the value of the Fermi velocity in the graphene layer. This conclusion is valid for graphene on any other substrate as well, since the Fermi velocity in graphene depends on the dielectric constant of the substrate.
Об авторах
I. Eliseyev
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: zoid95@yandex.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
V. Davydov
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: valery.davydov@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
A. Smirnov
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: alex.smirnov@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
M. Nestoklon
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: nestoklon.coherent@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
P. Dementev
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: demenp@yandex.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
S. Lebedev
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: lebedev.sergey@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
A. Lebedev
Ioffe Institute
Автор, ответственный за переписку.
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
A. Zubov
ITMO University
Автор, ответственный за переписку.
Email: alexander.zubov@nitride-crystals.com
Россия, St. Petersburg, 197101
S. Mathew
Technische Universität Ilmenau; Friedrich-Schiller-Universität Jena
Автор, ответственный за переписку.
Email: smerumpan@gmail.com
Германия, Ilmenau, 98693; Jena, 07745
J. Pezoldt
Technische Universität Ilmenau
Автор, ответственный за переписку.
Email: joerg.pezoldt@tu-ilmenau.de
Германия, Ilmenau, 98693
K. Bokai
Saint-Petersburg State University
Автор, ответственный за переписку.
Email: bokai.kirill@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 199034
D. Usachov
Saint-Petersburg State University
Автор, ответственный за переписку.
Email: usachov.d@gmail.com
Россия, St. Petersburg, 199034