Optical Estimation of the Carrier Concentration and the Value of Strain in Monolayer Graphene Grown on 4H-SiC
- Autores: Eliseyev I.1, Davydov V.1, Smirnov A.1, Nestoklon M.1, Dementev P.1, Lebedev S.1, Lebedev A.1, Zubov A.2, Mathew S.3,4, Pezoldt J.3, Bokai K.5, Usachov D.5
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Afiliações:
- Ioffe Institute
- ITMO University
- Technische Universität Ilmenau
- Friedrich-Schiller-Universität Jena
- Saint-Petersburg State University
- Edição: Volume 53, Nº 14 (2019)
- Páginas: 1904-1909
- Seção: Nanostructures Characterization
- URL: https://journals.rcsi.science/1063-7826/article/view/207513
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619140057
- ID: 207513
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Resumo
Systematic studies of the effect of the electron concentration on the Raman spectra of single-layer graphene films have been carried out. The samples were grown by thermal destruction of the Si-face of the 4H-SiC substrate. Analysis of the results led us to the conclusion that for the correct estimation of the electron concentration and strain values in graphene using Raman spectroscopy data it is necessary to take into account the value of the Fermi velocity in the graphene layer. This conclusion is valid for graphene on any other substrate as well, since the Fermi velocity in graphene depends on the dielectric constant of the substrate.
Sobre autores
I. Eliseyev
Ioffe Institute
Autor responsável pela correspondência
Email: zoid95@yandex.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021
V. Davydov
Ioffe Institute
Autor responsável pela correspondência
Email: valery.davydov@mail.ioffe.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021
A. Smirnov
Ioffe Institute
Autor responsável pela correspondência
Email: alex.smirnov@mail.ioffe.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021
M. Nestoklon
Ioffe Institute
Autor responsável pela correspondência
Email: nestoklon.coherent@mail.ioffe.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021
P. Dementev
Ioffe Institute
Autor responsável pela correspondência
Email: demenp@yandex.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021
S. Lebedev
Ioffe Institute
Autor responsável pela correspondência
Email: lebedev.sergey@mail.ioffe.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021
A. Lebedev
Ioffe Institute
Autor responsável pela correspondência
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Rússia, St. Petersburg, 194021
A. Zubov
ITMO University
Autor responsável pela correspondência
Email: alexander.zubov@nitride-crystals.com
Rússia, St. Petersburg, 197101
S. Mathew
Technische Universität Ilmenau; Friedrich-Schiller-Universität Jena
Autor responsável pela correspondência
Email: smerumpan@gmail.com
Alemanha, Ilmenau, 98693; Jena, 07745
J. Pezoldt
Technische Universität Ilmenau
Autor responsável pela correspondência
Email: joerg.pezoldt@tu-ilmenau.de
Alemanha, Ilmenau, 98693
K. Bokai
Saint-Petersburg State University
Autor responsável pela correspondência
Email: bokai.kirill@gmail.com
Rússia, St. Petersburg, 199034
D. Usachov
Saint-Petersburg State University
Autor responsável pela correspondência
Email: usachov.d@gmail.com
Rússia, St. Petersburg, 199034